[发明专利]一种可直接焊接的MWT电池背面结构无效
| 申请号： | 201210540696.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022159A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 福克斯·斯蒂芬;苗丽燕;刘长明;刘丽芳;苗凤秀;蔡永梅;汤安民;谢斌;谢旭 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可直接焊接的MWT电池背面结构，包括通孔电极、背电极、背电场和硅片，还包括绝缘层，所述绝缘层设置于背电场表面，并与通孔电极纵向平行，所述绝缘层的宽度与通孔电极的宽度匹配。本发明增设绝缘层结构，可以实现MWT电池焊接过程中背电场和焊带间的有效隔离，且不改变其它常规组件，结构简单，焊接时操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 焊接 mwt 电池 背面 结构 | ||
【主权项】：
一种可直接焊接的MWT电池背面结构，包括通孔电极（1）、背电极（2）、背电场（3）和硅片（5），其特征在于：还包括绝缘层（4），所述绝缘层（4）设置于背电场（3）表面，并与通孔电极（1）纵向平行，所述绝缘层（4）的宽度与通孔电极（1）的宽度匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
