[发明专利]钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法有效
| 申请号： | 201210537544.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103000807A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠;张中华;顾怡峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 沉积 方法 存储 单元 制备 | ||
【主权项】：
一种钛‑锑‑碲相变材料沉积方法，其特征在于，至少包括以下步骤：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基，M为Cl、F或Br。
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