[发明专利]钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法

权利要求书

1.一种钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R¹)₄Ti、(R¹R²N)₄Ti、(R¹O)₄Ti、((R¹)₃Si)₄Ti及TiM₄的一种或一种以上，其中R¹和R²为含有1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基，M为Cl、F或Br；

沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R¹)₂Te、(R¹R²N)₂Te、((R¹)₃Si)₂Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基或烯基；

沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R¹)₃Sb、(R¹R²N)₃Sb、(R¹O)₃Sb、((R¹)₃Si)₃Sb、SbM₃的一种或一种以上，其中R¹和R²为含有1~10个碳的直链、支链或环状形式的烷基，M为Cl、F或Br。

2.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：沉积的方法为金属有机化学气相沉积MOCVD、循环化学气相沉积CVD及原子层沉积ALD方法中的一种。

3.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：依次或同时实施三个沉积步骤。

4.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：同时实施三个沉积步骤中的任意两个。

5.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：还包括分别在每个沉积步骤之后引入氢或氢等离子体的步骤。

6.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：还包括在完成三个沉积步骤之后引入氢或氢等离子体的步骤。

7.根据权利要求1所述的钛-锑-碲合相变材料沉积方法，其特征在于：供应前驱体前，清洗所述衬底上未被吸收的前驱体。

8.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：通过沉积压力、沉积温度及前驱体供应时间控制所述钛-锑-碲相变材料成分。

9.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：沉积温度的范围为60~350℃。

10.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：沉积压力的范围为0.001~10Torr。

11.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：沉积时通入的反应气体H₂的速率为0~1000sccm。

12.根据权利要求1所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法，其特征在于：所述钛-锑-碲相变材料膜沉积于一基底上，沉积前还包括对所述基底进行清洗的步骤。

13.一种相变存储单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面制备下电极；

2）于所述下电极表面沉积氧化硅层；

3）利用曝光-刻蚀工艺于所述氧化硅层上刻出直至所述下电极的沉积孔；

4）依据权利要求1~11任意一项所述的钛-锑-碲相变材料沉积方法于所述沉积孔内填充钛-锑-碲相变材料；

5）去除所述氧化硅层表面的钛-锑-碲相变材料；

6）制作上电极结构。

14.根据权利要求13所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于：所述曝光-刻蚀工艺采用的曝光方法为电子束曝光，刻蚀方法为反应离子刻蚀。