[发明专利]类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法

摘要

类矩形全息光栅的等离子体刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有对全息光栅的刻蚀过程中引起侧壁及槽底粗糙度高的问题，本发明包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤、一个钝化沉积步骤和一个抛光步骤。刻蚀步骤所采用的第一工艺条件、钝化沉积步骤所采用的第二工艺条件、抛光步骤第三工艺条件之间以时间间隔彼此分开，间隔时间大于前序步骤中反应气体等离子体寿命。使用该发明的等离子体刻蚀方法获得的类矩形全息光栅侧壁及槽底具有良好的光滑度，其杂散光强度低。

主权项

类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征是，该刻蚀方法包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括刻蚀步骤、钝化沉积步骤和抛光步骤；所述刻蚀步骤与钝化沉积步骤的时间间隔大于刻蚀步骤中反应气体等离子体寿命；钝化沉积步骤与抛光步骤的时间间隔大于钝化沉积步骤中反应气体等离子体寿命；抛光步骤与下一刻蚀周期中刻蚀步骤的时间间隔大于抛光步骤中反应气体等离子体寿命；步骤一、刻蚀步骤：采用SF6和CHF3的混合气体对基底进行刻蚀，气体流量的参数范围为80sccm‑400sccm，上电极功率参数范围为400W‑2500W，下电极功率参数范围为0W‑600W，气压参数范围为1.5Pa‑3.5Pa；在基底上形成类矩形光栅；步骤二、钝化沉积步骤：采用的气体为C4F8，所述气体的流量参数范围为20sccm‑200sccm，上电极功率参数范围为400W‑2500W，下电极功率参数范围为200W‑600W，所气压参数范围为1.5Pa‑3.5Pa；获得光栅沟槽底部与内侧面沉积形成的钝化层；步骤三、抛光步骤：采用气体为Ar，所述气体的流量的参数范围为40sccm‑100sccm，上电极功率参数范围为400W‑2500W，下电极功率参数范围为400W‑800W，气压参数范围为1.5Pa‑3.5Pa；获得光滑的光栅沟槽底部与内侧面；步骤四、判断是否有下一个刻蚀周期，如果否，则结束刻蚀，如果是，则返回步骤一，最终实现光栅的等子体刻蚀。