[发明专利]类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210536632.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103031557A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 谭鑫;巴音贺希格;齐向东;吴娜;李文昊;孔鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/12;G02B5/18 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 矩形 全息 光栅 等离子体 刻蚀 方法 | ||
1.类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征是，该刻蚀方法包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括刻蚀步骤、钝化沉积步骤和抛光步骤；所述刻蚀步骤与钝化沉积步骤的时间间隔大于刻蚀步骤中反应气体等离子体寿命；钝化沉积步骤与抛光步骤的时间间隔大于钝化沉积步骤中反应气体等离子体寿命；抛光步骤与下一刻蚀周期中刻蚀步骤的时间间隔大于抛光步骤中反应气体等离子体寿命；
步骤一、刻蚀步骤：采用SF6和CHF3的混合气体对基底进行刻蚀，气体流量的参数范围为80sccm-400sccm，上电极功率参数范围为400W-2500W，下电极功率参数范围为0W-600W，气压参数范围为1.5Pa-3.5Pa；在基底上形成类矩形光栅；
步骤二、钝化沉积步骤：采用的气体为C4F8，所述气体的流量参数范围为20sccm-200sccm，上电极功率参数范围为400W-2500W，下电极功率参数范围为200W-600W，所气压参数范围为1.5Pa-3.5Pa；获得光栅沟槽底部与内侧面沉积形成的钝化层；
步骤三、抛光步骤：采用气体为Ar，所述气体的流量的参数范围为40sccm-100sccm，上电极功率参数范围为400W-2500W，下电极功率参数范围为400W-800W，气压参数范围为1.5Pa-3.5Pa；获得光滑的光栅沟槽底部与内侧面；
步骤四、判断是否有下一个刻蚀周期，如果否，则结束刻蚀，如果是，则返回步骤一，最终实现光栅的等子体刻蚀。
2.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤中采用的气体为SF6和CF4。
3.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述钝化沉积步骤采用的气体为CO2或CO。
4.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述抛光步骤采用的气体为N2。
5.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤、钝化沉积步骤和抛光步骤中的气体的供气量通过调节气体流量控制器，实现三种气体的交替。
6.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤所需时间为20s-100s，钝化沉积步骤所需时间为10s-40s，抛光步骤所需时间为90s-400s。
7.根据权利要求1所述的类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法，其特征在于，刻蚀步骤与钝化沉积步骤的时间间隔、钝化沉积步骤与抛光步骤的时间间隔、抛光步骤与下一周期的刻蚀步骤的时间间隔分别为10s-25s。
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