[发明专利]一种光子晶体结构的发光二级管及其应用有效
| 申请号： | 201210533024.4 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102945902A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张雄;王春霞;陈洪钧;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光子晶体结构的发光二级管，该发光二级管自下至上顺序设置有衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型GaN外延层（106）、p型超晶格结构（107）、透明导电层（109）、钝化层（110），在n型GaN外延层（103）上还设有n型电极（104），在透明导电层（109）上还设有p型电极（111），在p型超晶格结构（107）中制备有光子晶体结构（108）。所述的发光二级管适用于GaN基LED，也适用于需要提高某一波段反射率的其它光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体结构 发光 二级 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种光子晶体结构的发光二级管，其特征在于该发光二级管自下至上顺序设置有衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型GaN外延层（106）、p型超晶格结构（107）、透明导电层（109）、钝化层（110），在n型GaN外延层（103）上还设有n型电极（104），在透明导电层（109）上还设有p型电极（111），在p型超晶格结构（107）中制备有光子晶体结构（108）。
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