[发明专利]一种光子晶体结构的发光二级管及其应用

权利要求书

1.一种光子晶体结构的发光二级管，其特征在于该发光二级管自下至上顺序设置有衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型GaN外延层（106）、p型超晶格结构（107）、透明导电层（109）、钝化层（110），在n型GaN外延层（103）上还设有n型电极（104），在透明导电层（109）上还设有p型电极（111），在p型超晶格结构（107）中制备有光子晶体结构（108）。

2.根据权利要求1所述的光子晶体结构的发光二级管，其特征在于所述的p型超晶格结构（107）为Mg掺杂的p型超晶格结构，该种p型超晶格结构为p-InGaN/GaN、p-AlGaN/GaN或p-InGaN/AlGaN中的任意一种，该种超晶格结构的周期数即重复次数范围为1-20，每个周期的厚度为5-20nm。

3.根据权利要求1所述的光子晶体结构的发光二级管，其特征在于所述的光子晶体结构（108），该种光子晶体包括空气孔型和介质柱型两种结构：对于空气孔型光子晶体，晶格周期范围为100-1000nm，空气孔的直径为100-1000nm，空气孔的高度为10-400nm；对于介质柱型光子晶体，则晶格周期范围为100-1000nm，介质柱的直径为100-1000nm，介质柱的高度为10-400nm。

4.根据权利要求3所述的光子晶体结构的发光二级管，其特征在于所述的介质柱或空气孔的形状为锥形、柱形、棱锥形、棱台形或半球形中的任一种；制作于发光二级管LED中的光子晶体的类型为正方晶格、三角晶格、蜂窝晶格或光子准晶体中的任一种。

5.一种如权利要求1所述的光子晶体结构的发光二级管的应用，其特征在于所述的发光二级管适用于GaN基LED，也适用于需要提高某一波段反射率的其它光电子器件。