[发明专利]一种制备低氧氧化钛纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201210532541.X | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103866370A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 曹辉亮;钱仕;刘宣勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备低氧氧化钛纳米管阵列的方法，包括在钛基材表面通过阳极氧化制得二氧化钛纳米管阵列的步骤1，和以所述二氧化钛纳米管阵列为阴极，石墨板为阳极通过电化学还原将所述二氧化钛纳米管阵列还原成低氧氧化钛纳米管阵列的步骤2。根据本发明的制备方法所制备的低氧氧化钛纳米管为黑色，光吸收效果好；可集成纳米管的定向电子输运性能与低氧氧化钛的窄禁带宽度优势；拓宽氧化钛在光伏、光催化、燃料电池等领域应用。本发明制备工艺均在室温进行，绿色环保，操作简单，可控性强，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 低氧 氧化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备低氧氧化钛纳米管阵列的方法，其特征在于，包括在钛基材表面通过阳极氧化制得二氧化钛纳米管阵列的步骤1，和以所述二氧化钛纳米管阵列为阴极，石墨板为阳极通过电化学还原将所述二氧化钛纳米管阵列还原成低氧氧化钛纳米管阵列的步骤2。
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