[发明专利]光电模块及其制造方法无效
| 申请号： | 201210530155.7 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103165692A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李胜熙;朴镕希;杨政烨;金范来;许弼浩;李东俊 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/05;H01L27/142;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电模块及其制造方法。该光电模块包括光电单元，该光电单元包括：半导体基底；第一半导体层和第二半导体层，在半导体基底的表面彼此分隔开；绝缘层，覆盖半导体基底的表面，绝缘层包括暴露第一半导体层和第二半导体层的通孔；第一电极和第二电极，填充通孔以分别接触第一半导体层和第二半导体层，第一电极和第二电极从绝缘层凸出，绝缘层为单层的形式。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电模块，所述光电模块包括光电单元，所述光电单元包括：半导体基底；第一半导体层和第二半导体层，在半导体基底的表面彼此分隔开；绝缘层，覆盖半导体基底的所述表面，绝缘层包括暴露第一半导体层和第二半导体层的通孔；以及第一电极和第二电极，填充通孔以分别接触第一半导体层和第二半导体层，第一电极和第二电极从绝缘层凸出，其中，绝缘层为单层的形式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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