[发明专利]光电模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210530155.7 申请日: 2012-12-10
公开(公告)号: CN103165692A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李胜熙;朴镕希;杨政烨;金范来;许弼浩;李东俊 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/05;H01L27/142;H01L31/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 光电 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电模块,所述光电模块包括光电单元,所述光电单元包括:

半导体基底;

第一半导体层和第二半导体层,在半导体基底的表面彼此分隔开;

绝缘层,覆盖半导体基底的所述表面,绝缘层包括暴露第一半导体层和第二半导体层的通孔;以及

第一电极和第二电极,填充通孔以分别接触第一半导体层和第二半导体层,第一电极和第二电极从绝缘层凸出,

其中,绝缘层为单层的形式。

2.根据权利要求1所述的光电模块,所述光电模块还包括布线板,布线板包括绝缘基底和在绝缘基底上的导电图案,光电单元的绝缘层面对布线板,第一电极和第二电极结合到布线板。

3.根据权利要求1所述的光电模块,所述光电模块还包括在半导体基底的所述表面与绝缘层之间的钝化膜。

4.根据权利要求1所述的光电模块,其中,绝缘层是固化的热固性树脂。

5.根据权利要求2所述的光电模块,其中,第一电极和第二电极分别包括种子层和导电连接层,种子层从第一半导体层和第二半导体层开始填充通孔达预定的第一深度,导电连接层填充通孔的剩余部分并从绝缘层的下表面凸出。

6.根据权利要求5所述的光电模块,其中:

每个种子层具有端面,从而多个种子层提供多个端面,每个种子层的端面与相应的导电连接层构成界面,以及

其中,种子层的端面和绝缘层的下表面彼此成台阶。

7.根据权利要求5所述的光电模块,其中,通孔的被种子层填充的预定的第一深度等于绝缘层的厚度的一半。

8.根据权利要求5所述的光电模块,其中,导电连接层包括焊接材料。

9.根据权利要求6所述的光电模块,其中,导电连接层包括第一部分和第二部分,第一部分接触种子层的端面、填充通孔的剩余部分并具有第一宽度,第二部分从绝缘层的下表面凸出并具有第二宽度,第二宽度比第一宽度宽。

10.根据权利要求9所述的光电模块,其中:

在布线板的绝缘基底上的导电图案包括彼此分隔开的第一导电图案和第二导电图案,以及

第一电极结合到第一导电图案,第二电极结合到第二导电图案。

11.根据权利要求1所述的光电模块,其中,第一半导体层包括第一导电类型的掺杂剂,第二半导体层包括第二导电类型的掺杂剂。

12.根据权利要求2所述的光电模块,其中:

第一电极和第二电极形成交错的电极图案,以及

布线板的绝缘基底上的导电图案对应于所述交错的电极图案。

13.根据权利要求1所述的光电模块,其中:

光电单元为多个以形成光电单元的阵列,

所述光电模块包括布线板,以及

布线板和阵列中的至少一个包括对准标记。

14.一种制造光电模块的方法,所述方法包括:

提供半导体基底,半导体基底包括在半导体基底的第一表面分隔开的第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层包括第一导电类型的掺杂剂,第二半导体层包括第二导电类型的掺杂剂;

在第一表面上形成钝化膜;

在钝化膜中形成通孔以暴露第一半导体层和第二半导体层;

通过图案印刷将单层绝缘层涂到钝化膜上,使得钝化膜中的通孔延伸穿过单层绝缘层;

形成第一电极和第二电极,第一电极和第二电极填充通孔以接触第一半导体层和第二半导体层,第一电极和第二电极通过以下步骤形成:在通孔中形成导电材料的种子层达第一深度;以及在种子层上形成导电连接层以填充通孔的剩余深度并从单层绝缘层的下表面凸出。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,单层绝缘层由通过丝网印刷或喷墨印刷涂到钝化膜并通过固化固定到钝化膜的热固性材料形成。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,通过溅射将种子层形成为初始厚度,然后通过电镀或光诱导镀覆将种子层形成为最终厚度。

17.根据权利要求14所述的方法,其中,导电连接层由焊接材料制成并通过图案印刷形成。

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