[发明专利]半导体发光装置及形成该装置的方法无效
| 申请号： | 201210525834.5 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151438A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 宇野泽圭佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置具有第一主表面，形成在第一主表面相对侧上的第二主表面，以及发光层。第二主表面上的p电极位于发光层的区域中，并包围n电极。半导体层一侧的绝缘层包围p电极和n电极。P金属柱建立p电极的电连接，而n金属柱建立n电极的电连接。树脂层包围p金属柱和n金属柱的端部，并还覆盖了半导体层的侧表面、第二主表面、p电极、n电极、绝缘层、p金属柱和n金属柱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：半导体层，包括第一主表面、形成在所述第一主表面相对侧上的第二主表面，以及发光层；设置在所述第二主表面上的p电极；设置在所述第二主表面上并由所述p电极包围的n电极；以及绝缘层，设置在所述半导体层的侧表面和所述半导体层的所述第二主表面上以包围所述p电极和所述n电极。
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