[发明专利]半导体发光装置及形成该装置的方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

半导体层，包括第一主表面、形成在所述第一主表面相对侧上的第二主表面，以及发光层；

设置在所述第二主表面上的p电极；

设置在所述第二主表面上并由所述p电极包围的n电极；以及

绝缘层，设置在所述半导体层的侧表面和所述半导体层的所述第二主表面上以包围所述p电极和所述n电极。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，

所述n电极包括电连接到n金属柱的第一部分和与所述第一部分连续设置以分散流经所述n电极的电流的第二部分。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，

多个所述n电极设置在所述第二主表面上；从最外面的n电极的中心轴到所述p电极的纵向边缘的距离是相邻n电极的中心轴之间的距离的一半。

4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中，

所述n电极还包括：

第一n电极，具有电连接到所述n金属柱的第一部分以及与所述第一部分连续设置的第二部分；以及

第二n电极，与所述第一n电极分离设置并具有电连接到所述n金属柱的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，

所述第二n电极与所述第一n电极由具有半径的圆分离开，所述半径等于从所述第二n电极的中心轴到所述p电极的纵向边缘的距离。

6.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，

所述第二部分的形状具有纵向边缘和横向边缘，并且

所述横向边缘的平均长度是所述第一部分的一个边缘的长度的30％或更多或所述第一部分的直径的30％或更多。

7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，

所述横向边缘的最大长度是所述第一部分的一个边缘的长度的60％或更多或所述第一部分的直径的60％或更多。

8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，

所述p电极的面积大于所述n电极的面积。

9.一种形成半导体发光装置的方法，所述方法包括：

形成半导体层，所述半导体层包括第一主表面、所述第一主表面相对侧的第二主表面、以及发光层；

在所述第二主表面上形成p电极；

在所述第二主表面上形成由所述p电极包围的n电极；

在所述半导体层的侧表面和所述半导体层的所述第二主表面上形成绝缘层，以包围所述p电极和所述n电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述n电极包括电连接到n金属柱的第一部分和与所述第一部分连续设置以分散流经所述n电极的电流的第二部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

将多个所述n电极形成在所述第二主表面上；并且从最外面的n电极的中心轴到所述p电极的纵向边缘的距离是相邻n电极的中心轴之间的距离的一半。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述n电极还包括：

第一n电极，具有电连接到所述n金属柱的第一部分以及与所述第一部分连续设置的第二部分；以及

第二n电极，与所述第一n电极分离设置并具有电连接到所述n金属柱的部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述第二n电极与所述第一n电极由具有半径的圆分离开，所述半径等于从所述第二n电极的中心轴到所述p电极的纵向边缘的距离。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第二部分的形状具有纵向边缘和横向边缘，并且

所述横向边缘的平均长度是所述第一部分的一个边缘的长度的30％或更多或所述第一部分的直径的30％或更多。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述横向边缘的最大长度是所述第一部分的一个边缘的长度的60％或更多或所述第一部分的直径的60％或更多。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述p电极的面积大于所述n电极的面积。