[发明专利]MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器有效
| 申请号： | 201210523891.X | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103049217A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 金明 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 刘健;黄韧敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于存储技术领域，提供了一种MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器，用以将MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，该读写控制方法包括：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。借此，本发明能将MLCNAND型固态硬盘仿真为SLC NAND型固态硬盘，提高了MLC NAND型固态硬盘的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mlc nand 固态 硬盘 读写 控制 方法 闪存 控制器 | ||
【主权项】：
一种MLC NAND型固态硬盘读写控制方法，用以将所述MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于记忆科技（深圳）有限公司，未经记忆科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210523891.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
