[发明专利]MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器

权利要求书

1.一种MLC NAND型固态硬盘读写控制方法，用以将所述MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；

对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。

2.根据权利要求1所述的读写控制方法，其特征在于，将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页的步骤中：

所述MLC型闪存芯片的每个存储单元具有4种电压状态，4种电压状态表示为4个二进制数据11、10、00、01；所述最高有效位位于二进制数据的最左侧，最低有效位位于二进制数据的最右侧。

3.根据权利要求1所述的读写控制方法，其特征在于，所述仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行操作的步骤包括：

对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取由所述物理页中的最高有效位映射组成的逻辑页进行读写操作。

4.一种MLC NAND型固态硬盘，其特征在于，所述固态硬盘包括：

MLC型闪存芯片，具有多个多层存储物理区块，每个所述多层存储物理区块具有多个物理页；

闪存控制器，与所述MLC型闪存芯片电性连接，用于将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成，对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。

5.根据权利要求4所述的固态硬盘，其特征在于，所述MLC型闪存芯片的每个存储单元具有4种电压状态，4种电压状态表示为4个二进制数据11、10、00、01；所述最高有效位位于二进制数据的最左侧，最低有效位位于二进制数据的最右侧。

6.根据权利要求4所述的固态硬盘，其特征在于，所述闪存控制器对所述

MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取由所述物理页中的最高有效位映射组成的逻辑页进行读写操作。

7.一种闪存控制器，用于将MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，该MLC型闪存芯片具有多个多层存储物理区块，每个所述多层存储物理区块具有多个物理页，其特征在于，所述闪存控制器包括：

映射模块，用于将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；

微处理器，用于对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。

8.根据权利要求7所述的闪存控制器，所述MLC型闪存芯片的每个存储单元具有4种电压状态，4种电压状态表示为4个二进制数据11、10、00、01；所述最高有效位位于二进制数据的最左侧，最低有效位位于二进制数据的最右侧。

9.根据权利要求7所述的闪存控制器，其特征在于，所述微处理器对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取由所述物理页中的最高有效位映射组成的逻辑页进行读写操作。