[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210521428.1 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103035730A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，栅极在源区和漏区之间。所述栅极分为靠近源区的第一部分和靠近漏区的第二部分，第一部分的掺杂浓度比第二部分的掺杂浓度大一个数量级以上。本申请还公开了其制造方法。由于使得多晶硅栅极的掺杂浓度呈现两段式，本申请可以在获取低导通电阻的同时，降低热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，栅极在源区和漏区之间；其特征是，所述栅极分为靠近源区的第一部分和靠近漏区的第二部分，第一部分的掺杂浓度比第二部分的掺杂浓度大一个数量级以上。
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