[发明专利]一种金属掺杂无氢类金刚石碳膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210519829.3 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102965618A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 岳文;王松;付志强;王成彪;于翔;彭志坚;庞天舒 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(北京) |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属掺杂无氢类金刚石薄膜的制备方法。特点为利用离子束辅助沉积技术在工件表面制备金属掺杂类金刚石薄膜，采用金属靶与石墨靶进行双靶溅射。其具体步骤包括：将工件表面离子清洗和活化，沉积制备金属掺杂类金刚石薄膜。本发明所制备的金属掺杂类金刚石薄膜具有较高的薄膜硬度、膜基结合力、弹性模量、抗磨性能和热稳定性等性能。工艺可操作性强，重复性好，可适用于硅和各类金属工件的表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 无氢类 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属掺杂无氢类金刚石薄膜制备方法，其特征在于包括下列步骤：a、将工件利用去离子水超声波清洗干净烘干后，固定于离子束辅助沉积镀膜设备真空室内的工件转盘上，并将真空室抽真空；b、将氩气通入真空室，并保持真空度的稳定，开启工件转盘，开启离子源和辅助源分别将工件及靶材表面清洗和活化；c、气源持续供气，保持真空度稳定，开启离子源与辅助源在工件表面沉积制备金属掺杂无氢类金刚石薄膜；d、关闭工件转盘，等待工作台温度充分降低后取出工件。
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