[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210519710.6 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103258743A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 徐铉植;金峰澈;金大元 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。所述制造薄膜晶体管的方法，包括：顺序形成基板上的第一金属层和第一金属层上铜的第二金属层；执行等离子体工艺以在第二金属层上形成氮化铜层；图案化氮化铜层、第二金属层和第一金属层以形成栅极；在包括栅极的基板上形成氮化硅的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成氧化硅的第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成由氧化物半导体材料形成的半导体层；和在半导体层上形成源极和漏极，所述源极与漏极分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造薄膜晶体管的方法，包括：顺序形成基板上的第一金属层和第一金属层上的铜的第二金属层；执行等离子体工艺以在第二金属层上形成氮化铜层；图案化氮化铜层、第二金属层和第一金属层以形成栅极；在包括栅极的基板上形成氮化硅的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成氧化硅的第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成由氧化物半导体材料形成的半导体层；和在半导体层上形成源极和漏极，所述源极与漏极分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
