[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

顺序形成基板上的第一金属层和第一金属层上的铜的第二金属层；

执行等离子体工艺以在第二金属层上形成氮化铜层；

图案化氮化铜层、第二金属层和第一金属层以形成栅极；

在包括栅极的基板上形成氮化硅的第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上形成氧化硅的第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层上形成由氧化物半导体材料形成的半导体层；和

在半导体层上形成源极和漏极，所述源极与漏极分隔开。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一栅极绝缘层的步骤包括使用氮气和硅烷气体沉积氮化硅，使得第一栅极绝缘层包括重量%低于20的氢。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层由钼、钛和钼钛合金中的一种形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中执行所述等离子体工艺的步骤使用具有氮气的氨气、氨气或者氮气。

5.一种制造薄膜晶体管（TFT）阵列基板的方法，所述方法包括：

顺序形成基板上的第一金属层和第一金属层上的铜的第二金属层；

执行等离子体工艺以在第二金属层上形成氮化铜层；

图案化氮化铜层、第二金属层和第一金属层以形成栅极线和栅极；

在包括栅极线和栅极的基板上形成氮化硅的第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上形成氧化硅的第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层上形成由氧化物半导体材料形成的半导体层；

在半导体层上形成蚀刻停止层；

在半导体层上形成源极和漏极和在第二栅极绝缘层上形成数据线，所述源极与漏极通过插入两者之间的蚀刻停止层而分隔开，且所述源极连接到数据线；和

形成连接到漏极的像素电极。

6.如权利要求5所述的方法，其中形成所述第一栅极绝缘层的步骤包括使用氮气和硅烷气体沉积氮化硅，使得第一栅极绝缘层包括重量%低于20的氢。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述第一金属层由钼、钛、和钼钛合金中的一种形成。

8.如权利要求5所述的方法，其中执行所述等离子体工艺的步骤使用具有氮气的氨气、氨气或者氮气。

9.一种薄膜晶体管，包括：

在基板上的栅极，其中所述栅极包括由铜形成的第一层和在第一层上由氮化铜形成的第二层；

在包括栅极的基板上由氮化硅形成的第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上由氧化硅形成的第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层上由氧化物半导体材料形成的半导体层；

在半导体层上形成的蚀刻停止层；和

形成在蚀刻停止层上且彼此间隔开的源极和漏极。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极绝缘层包括重量%低于20的氢。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述栅极还包括第三层，所述第三层设置在基板和第一层之间，且由钼、钛和钼钛合金中的一种形成。

12.一种薄膜晶体管（TFT）阵列基板，包括：

在基板上的栅极，其中所述栅极包括由铜形成的第一层和在第一层上由氮化铜形成的第二层；

在包括栅极的基板上由氮化硅形成的第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上由氧化硅形成的第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层上由氧化物半导体材料形成的半导体层；

形成在半导体层上的蚀刻停止层；

形成在蚀刻停止层上且彼此间隔开的源极和漏极；

连接到栅极的栅极线；

在第二栅极绝缘层上且连接到源极的数据线；和

连接到漏极的像素电极。

13.如权利要求12所述的TFT阵列基板，还包括在源极、漏极和数据线上并包括暴露出漏极的漏极接触孔的钝化层，其中所述像素电极被设置在钝化层上且经由漏极接触孔接触漏极。

14.如权利要求13所述的TFT阵列基板，其中所述源极、漏极和数据线中的每一个都包括钼、钛和钼钛合金中一种的第三层、铜的第四层和氮化铜的第五层，所述第四层被设置在第三和第五层之间，其中所述钝化层由氧化硅或者氮化硅形成。