[发明专利]一种氧化物半导体材料及薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210518087.2 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103022146A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;肖鹏;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌基半导体材料，由氧化锌基半导体材料掺入氟化物组成。所述氟化物的分子数与氧化锌基半导体材料中的金属氧化物的总分子数之比大于等于0.001小于等于0.15。本发明还公开了以上述材料作为沟道层材料的薄膜晶体管。本发明的氧化锌基半导体材料具有电子迁移率较高、电学稳定性好（磁滞效应小）、开关比高等优点；本发明的氧化锌基半导体材料作为沟道层的薄膜晶体管能在不需要特殊工艺处理，并且能通过调整新的掺杂物的含量来调节器件的阈值电压，使得器件处理常关状态，降低了驱动难度和整体功耗，同时降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体材料 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体材料，其特征在于：由氧化锌基材料掺入氟化物组成。
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