[发明专利]一种氧化物半导体材料及薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210518087.2 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103022146A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;肖鹏;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体材料 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物半导体材料，其特征在于：由氧化锌基材料掺入氟化物组成。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体材料，其特征在于：所述的氧化锌基材料为(MO)x(In2O3)y(ZnO)1-x-y，其中MO为Ga2O3、Al2O3、Nd2O3、La2O3、SnO2、TiO2、HfO2、Ta2O5中的一种以上，0≤x≤0.4，0.2≤y≤0.8。
3.根据权利要求1所述的氧化物半导体材料，其特征在于：所述的氟化物为LiF、CsF、AgF、MgF2、ZnF2、AlF3，InF3，GaF3、SnF4、以及TiF4中的一种以上。
4.根据权利要求2所述的氧化物半导体材料，其特征在于：氟化物与氧化锌基材料的分子数比满足0.001≤氟化物/(MO+In2O3+ZnO)≤0.15。
5.一种薄膜晶体管，包括：
栅极；
沟道层；
绝缘层，位于栅极和沟道层之间；
源极和漏极分别连接在沟道层的两端；
其特征在于：所述沟道层的材料为权利要求1至4中任意一项所述的氧化物半导体材料。
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