[发明专利]薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路在审
| 申请号： | 201210516322.2 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103426933A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 朴晋佑;金东焕 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路，薄膜晶体管包括：半导体层，设置于所述基底上，包括源区、第一漏区以及第二漏区，所述第一漏区与所述源区间隔第一电流通路的长度，所述第二漏区与所述源区间隔第二电流通路的长度，所述第二电流通路的长度相异于所述第一电流通路的长度；栅极，通过栅绝缘膜与所述半导体层绝缘；源极，与所述半导体层的所述源区连接；第一漏极，与所述半导体层的所述第一漏区连接；以及第二漏极，与所述半导体层的所述第二漏区连接，并且通过第一、第二电流通路，可同时提供大小相异的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具备 像素 电路 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基底；半导体层，设置于所述基底上，包括源区、第一漏区以及第二漏区，所述第一漏区与所述源区间隔第一电流通路的长度，所述第二漏区与所述源区间隔第二电流通路的长度，所述第二电流通路的长度相异于所述第一电流通路的长度；栅极，通过栅绝缘膜与所述半导体层绝缘；源极，与所述半导体层的所述源区连接；第一漏极，与所述半导体层的所述第一漏区连接；以及第二漏极，与所述半导体层的所述第二漏区连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210516322.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维单臂测量测量仪
- 下一篇：工业磁电纳米位移传感器
- 同类专利
- 专利分类
