[发明专利]薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路在审

专利信息
申请号: 201210516322.2 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103426933A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 朴晋佑;金东焕 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/08;G09G3/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;王珍仙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 具备 像素 电路
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路。更具体地讲,是提供长度相异的两个电流通路(current path)的薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路。

背景技术

薄膜晶体管包括:提供沟道区、源区和漏区的半导体层;通过栅绝缘膜与半导体层绝缘的栅极;以及与半导体层的源区和漏区连接的源极和漏极。

如上所述的薄膜晶体管可用作传送信号的开关元件或提供电流通路的驱动元件。

现有的薄膜晶体管的源区与漏区之间的沟道区长度为规定的长度。因此,当用作驱动元件时,只能在固定的电流通路流过规定量的电流。而且,为了实现各种目的而需要大小相异的电流时,需要使用多个薄膜晶体管构成电路,因此,具有需增加部件数、设计变得复杂的缺点。

发明内容

本发明的实施方式的目的在于提供一种能够提供两个相异的电流通路的薄膜晶体管。

本发明的实施方式的另一目的在于提供一种像素电路,该像素电路具备快速补偿阈值电压的同时向发光元件提供规定电流的薄膜晶体管。

为了实现上述目的,根据本发明的一方面的薄膜晶体管可包括:基底;半导体层,设置于所述基底上,包括源区、第一漏区以及第二漏区,所述第一漏区与所述源区间隔第一电流通路的长度,所述第二漏区与所述源区间隔第二电流通路的长度,所述第二电流通路的长度相异于所述第一电流通路的长度;栅极,通过栅绝缘膜与所述半导体层绝缘;源极,与所述半导体层的所述源区连接;第一漏极,与所述半导体层的所述第一漏区连接;以及第二漏极,与所述半导体层的所述第二漏区连接。

为了实现上述目的,根据本发明的另一方面的具备薄膜晶体管的像素电路可包括:有机发光二极管;第一薄膜晶体管,用于驱动所述有机发光二极管;第二薄膜晶体管,根据扫描信号向所述第一薄膜晶体管提供数据信号;第三薄膜晶体管,根据所述扫描信号将所述第一薄膜晶体管连接成二极管结构;以及存储电容器,连接于所述第一薄膜晶体管的栅极和第一电源电压之间,所述第一薄膜晶体管包括:与所述第三薄膜晶体管的漏极连接的栅极、与所述第三薄膜晶体管的源极连接的第一漏极、与所述有机发光二极管连接的第二漏极以及与所述第二薄膜晶体管的漏极连接的源极。

另外,为了实现上述目的,根据本发明的又一方面的具备薄膜晶体管的像素电路还可包括:根据先前扫描信号向所述第一薄膜晶体管的栅极提供初始化电压的第四薄膜晶体管;根据发光控制信号向所述第一薄膜晶体管的源极提供第一电源电压的第五薄膜晶体管;根据所述发光控制信号将所述第一薄膜晶体管的第二漏极连接于所述有机发光二极管的第六薄膜晶体管;以及连接于所述第一薄膜晶体管的栅极和接收所述扫描信号的扫描线之间的升压电容器。

根据本发明的实施方式的薄膜晶体管可提供两个长度相异的电流通路。通过短的电流通路提供大电流,通过长的电流通路提供较小的电流。因为可同时提供大小相异的电流,所以能够简单地设计用于两个不同目的的电流通路,且能够与现有技术相比减少部件数目而有利于高集成化的实现。

根据本发明的实施方式的像素电路可利用上述薄膜晶体管中的一电流通路提供的大电流,快速将存储电容器充电至阈值电压,因此阈值电压的补偿快且容易,并且利用另一电流通路提供的小电流,驱动有机发光二极管,因此可防止斑点问题。即,因为栅极电压的变化导致的电流变化率小,所以可增加电流控制电压摆幅(data swingrange),从而可增加体现伽马(gamma)的数据电压范围,而且由于减少了具有特性偏差(分布)的驱动薄膜晶体管之间的电流偏差,从而可防止因电流之差而产生的斑点问题。

附图说明

图1a是用于说明本发明实施方式的薄膜晶体管的俯视图。

图1b是用于说明本发明实施方式的薄膜晶体管的图。

图2a和图2b是用于说明本发明实施方式的薄膜晶体管的剖视图。

图3是用于说明本发明实施方式的像素电路的电路图。

符号说明

10,20:基底

12,24:半导体层

12a,24a:源区

12b,24b:第一漏区

12c,24c:第二漏区

12d,24d:沟道区

14,22:栅绝缘膜

16:层间绝缘膜

G:栅极

S:源极

D1:第一漏极

D2:第二漏极

具体实施方式

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