[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210513055.3 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103137705B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 由上二郎;岩松俊明;堀田胜之;槙山秀树;井上靖朗;山本芳树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李亚,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种提高半导体装置的性能的半导体装置及其制造方法。作为半导体元件的MISFET（Q1）形成于SOI基板（1）上。SOI基板具有作为基体的支撑基板（2）；形成于支撑基板的主面（表面）上的绝缘层即作为埋设氧化膜的BOX层（3）；以及形成于BOX层上的半导体层即SOI层（4）。在SOI层形成有作为半导体元件的MISFET（Q1）。在元件分离区域（5）中，在SOI基板的主面上形成有元件分离槽（7），其贯通SOI层和BOX层，并且底面（7a）位于支撑基板（2）的厚度的中间位置，元件分离膜（8）被埋设于所形成的元件分离槽（7）中。并且，防氧化膜（9）介于BOX层（3）与元件分离膜（8）之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，具有基体、所述基体上的绝缘层、和所述绝缘层上的半导体层；半导体元件，形成于所述半导体层上；以及元件分离膜，在元件分离区域中被埋设在形成于所述半导体层、所述绝缘层以及所述基体的槽部中，防氧化膜介于所述绝缘层与所述元件分离膜之间，露出于所述槽部的侧面的所述半导体层以及露出于所述槽部的底面的所述基体不使所述防氧化膜介入而直接接触所述元件分离膜。
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