[发明专利]一种硅基光电探测器及制备方法和用途

摘要

本发明涉及一种硅基光电探测器及制备方法和用途，该探测器由下至上为Si基体，SiO₂层，Au薄膜电极，SiO₂层为Si基体表面热氧化得到，Au膜为真空溅射在SiO₂层上，导线与Au电极通过银浆粘结制成，其中Si片厚度为150-675，SiO₂层厚度为50-500，Au膜厚度为30-300，电极间隙宽度为2-2，该光电探测器用于紫外或可见波段的光信号转换成电信号的传感器。该光电探测器具有结构简单、成本低、机械性能好、物化性质稳定、易加工、保存等优点。不仅具有较高的灵敏度还具有响应时间短（小于400）的优点，并且有很好的稳定性、可靠性。

主权项

1.一种硅基光电探测器，其特征在于该探测器由下至上为Si基体（1），SiO₂层（2），Au薄膜电极（3），SiO₂层（2）为Si基体（1）表面热氧化得到，Au膜（3）为真空溅射在SiO₂层（2）上，导线与Au电极通过银浆（4）粘结制成，其中Si基体（1）厚度为150-675，SiO₂层（2）厚度为50-500，Au膜（3）厚度为30-300，电极间隙宽度22。