[发明专利]一种硅基光电探测器及制备方法和用途

权利要求书

1.一种硅基光电探测器，其特征在于该探测器由下至上为Si基体（1），SiO₂层（2），Au薄膜电极（3），SiO₂层（2）为Si基体（1）表面热氧化得到，Au膜（3）为真空溅射在SiO₂层（2）上，导线与Au电极通过银浆（4）粘结制成，其中Si基体（1）厚度为150                                                -675，SiO₂层（2）厚度为50-500，Au膜（3）厚度为30-300，电极间隙宽度22。

2.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的制备方法，其特征在于采用真空镀膜方式，具体操作步骤按下进行：

a、将附着SiO₂层（2）的Si基体（1）切割成长方形片，用去离子水、丙酮、乙醇分别梯度清洗，时间10，再用等离子清洗仪清洗10，将表面清洗干净；

b、将SiO₂/Si片置于等离子溅射仪中，SiO₂层（2）面向上，在SiO₂层（2）表面采用真空镀膜镀Au膜（3）；

c、用细针划线、撕去胶带或滤纸擦拭的方法除去部分的Au，Au膜（3）之间形成一个间隙，使Au膜（3）成为2个电极，用银浆（4）粘接引出导线，即可得到所述硅基光电探测器。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤a中所述Si基体（1）为p型单晶Si，取向为<111>面。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤b中的真空镀膜为等离子溅射。

5.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的用途，其特征在于该光电探测器用于紫外或可见波段的光信号转换成电信号的传感器。