[发明专利]氧化膜密接性优异的高强度铜合金板在审
| 申请号： | 201210509036.3 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103160703A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 尾崎良一 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种Cu-Fe-P系铜合金板，其以质量％计含有Fe：0.02～0.5％、P：0.01～0.25％、余量由铜和不可避免的杂质构成，Fe与P的质量％比Fe/P为2.0～5.0，以EBSD分析观察表面时，相对于观察面积的当量圆直径低于0.5μm的微细晶粒的面积比为0.90以下，并且基于XPS分析的表面的C1s的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比C1s/Cu2p为0.35以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 膜密接性 优异 强度 铜合金 | ||
【主权项】：
一种氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其特征在于，以质量％计含有Fe：0.02～0.5％、P：0.01～0.25％，余量是铜和不可避免的杂质，并且，Fe和P的质量％比Fe/P为2.0～5.0，并且，通过电子背散射衍射分析对表面进行观察时，当量圆直径低于0.5μm的微细晶粒相对于观察面积的面积比为0.90以下，并且，通过XPS分析得到的表面的C1s的峰值面积值相对于Cu2p的峰值面积值的比C1s/Cu2p为0.35以下。
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