[发明专利]X光侦测装置有效
申请号: | 201210507442.6 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103855172B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 吴智濠 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明是有关于一种X光侦测装置,包含一薄膜晶体管层以及一光电二极管层,其中薄膜晶体管层所包含的每一薄膜晶体管包含:一基板;一栅极,是位于基板上;一栅极绝缘层,是位于栅极上;一半导体层,是位于栅极绝缘层上,且此半导体层是部分覆盖栅极;一阻挡层,是覆盖于半导体层上;一源极与一漏极,是各自形成于阻挡层上的相对两侧,其中源极是通过一第一导电孔与半导体层电性连接,而漏极是通过一第二导电孔与半导体层电性连接,前述的第一导电孔以及第二导电孔于半导体层处是分别设有一底部,所述底部的至少一者垂直投影于基板的投影面是与栅极垂直投影于该基板的投影面是具有不重叠的区域;以及一保护层,是覆盖源极以及漏极。 | ||
搜索关键词: | 侦测 装置 | ||
【主权项】:
一种X光侦测装置,包括:一薄膜晶体管层,包含多条资料线以及多条扫描线交叉排列所定义的多个像素区域,每一像素区域包含一薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:一基板;一栅极,位于该基板上;一栅极绝缘层,位于该栅极上;一半导体层,位于该栅极绝缘层上,且该半导体层部分覆盖该栅极;一阻挡层,位于该半导体层上;一源极与一漏极,各自位于该阻挡层上的相对两侧,其中该源极通过一第一导电孔与该半导体层电性连接,该漏极通过一第二导电孔与该半导体层电性连接,且该第一导电孔与该第二导电孔位于该半导体层处分别设有一底部,所述底部的至少一者垂直投影于该基板的投影面与该栅极垂直投影于该基板的投影面具有不重叠的区域;以及一保护层,覆盖该源极以及该漏极;以及一光电二极管阵列层,具有多个光电二极管,每一光电二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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