[发明专利]X光侦测装置

权利要求书

1.一种X光侦测装置，包括：

一薄膜晶体管层，包含多条资料线以及多条扫描线交叉排列所定义的多个像素区域，每一像素区域并包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

一基板；

一栅极，位于该基板上；

一栅极绝缘层，位于该栅极上；

一半导体层，位于该栅极绝缘层上，且该半导体层部份覆盖该栅极；

一阻挡层，位于该半导体层上；

一源极与一漏极，各自位于该阻挡层上的相对两侧，其中该源极通过一第一导电孔与该半导体层电性连接，该漏极通过一第二导电孔与该半导体层电性连接，且该第一导电孔与该第二导电孔位于该半导体层处分别设有一底部，所述底部的至少一者垂直投影于该基板的投影面与该栅极垂直投影于该基板的投影面具有不重叠的区域；以及

一保护层，覆盖该源极以及该漏极；以及

一光电二极管阵列层，具有多个光电二极管，每一光电二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的X光侦测装置，其中该半导体层为金属氧化物半导体层，而该金属氧化物半导体层的材料包含铟锌氧化物或铟镓锌氧化物。

3.如权利要求1所述的X光侦测装置，其中该第一导电孔底部以及该第二导电孔底部的至少一者垂直投影于该基板的投影面与该栅极垂直投影于该基板的投影面的重叠区域宽度大于等于1μm，且小于该第一导电孔底部或该第二导电孔底部垂直投影于该基板的投影面的宽度。

4.如权利要求1所述的X光侦测装置，其中该漏极通过一第三导电孔与该资料线电性连接。

5.如权利要求1所述的X光侦测装置，其中该光电二极管阵列层上还设置有一闪烁层以及一反射层，其中该闪烁层位于该光电二极管阵列层上，该反射层位于该闪烁层上。

6.一种X光侦测装置，包括：

一薄膜晶体管层，包含多条资料线以及多条扫描线交叉排列所定义的多个像素区域，每一像素区域并包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

一基板；

一栅极，位于该基板上；

一栅极绝缘层，位于该栅极上；

一半导体层，位于该栅极绝缘层上，且该半导体层垂置投影于该栅极的投影面宽度小于该栅极垂置投影于该基板的投影面宽度；

一阻挡层，位于该半导体层上；

一源极与一漏极，各自位于该阻挡层上的相对两侧，其中该源极通过一第一导电孔与该半导体层电性连接，该漏极通过一第二导电孔与该半导体层电性连接，且该第一导电孔与该第二导电孔位于该半导体层处分别设有一底部，所述底部的至少一者垂直投影于该基板的投影面与该半导体层垂直投影于该基板的投影面具不重叠的区域；以及

一保护层，覆盖该源极以及该漏极；以及

一光电二极管阵列层，具有多个光电二极管，每一光电二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的X光侦测装置，其中该第一导电孔底部以及该第二导电孔底部的至少一者垂直投影于该基板的投影面与该半导体层垂直投影于该基板的投影面的重叠区域宽度大于等于1μm，且小于该第一导电孔底部或该第二导电孔底部垂直投影于该栅极绝缘层的投影面宽度。

8.如权利要求6所述的X光侦测装置，其中该半导体层为金属氧化物半导体层，而该金属氧化物半导体层的材料是铟锌氧化物或铟镓锌氧化物。

9.如权利要求6所述的X光侦测装置，其中该光电二极管阵列层上还设置有一闪烁层以及一反射层，其中该闪烁层位于该光电二极管阵列层上，该反射层位于该闪烁层上。

10.如权利要求6所述的X光侦测装置，其中该漏极是通过一第三导电孔与一资料线电性连接。