[发明专利]沟槽型MOS晶体管制造方法

摘要

一种沟槽型MOS晶体管制造方法包括在硅片中形成沟槽；在沟槽中形成栅极结构；沉积层间电介质层，并通过刻蚀在层间电介质层中形成两种接触孔的图案，一种是对应于与有源区接触的接触孔的图案，另一种是作为器件外围保护环的图案；在两种接触孔中离子注入B和P，在有源区形成阱区和源区，同时在保护环区形成保护环；在两种接触孔的图案中沉积正硅酸乙酯；在两种接触孔的图案中沉积硼磷硅玻璃；对硼磷硅玻璃进行回流，将保护环区的接触孔密封；对硼磷硅玻璃进行刻蚀以形成与有源区接触的接触孔的隔离物，从而将与有源区接触的接触孔的初始关键尺寸缩小为最终关键尺寸；以正硅酸乙酯和硼磷硅玻璃为阻挡层对硅衬底进行刻蚀，以形成与有源区接触的接触孔；形成接触孔阻挡层并沉积金属，再对金属进行刻蚀。

主权项

一种沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于包括：沟槽形成步骤，用于在硅片中形成沟槽；栅极结构的形成步骤，用于在沟槽中形成栅极结构；层间电介质的沉积及刻蚀步骤，用于沉积层间电介质层，并通过刻蚀在层间电介质层中形成两种接触孔的图案，一种是对应于与有源区接触的接触孔的图案，另一种是作为器件外围保护环的图案；在两种接触孔中离子注入B和P，在有源区形成阱区和源区，同时在保护环区形成保护环；第一沉积步骤，用于在两种接触孔的图案中沉积正硅酸乙酯；第二沉积步骤，用于在两种接触孔的图案中沉积硼磷硅玻璃；硼磷硅玻璃回流步骤，用于对硼磷硅玻璃进行回流，将保护环区的接触孔密封；硼磷硅玻璃刻蚀步骤：对硼磷硅玻璃进行刻蚀以形成与有源区接触的接触孔的隔离物，从而将与有源区接触的接触孔的初始关键尺寸缩小为最终关键尺寸；硅片刻蚀步骤，用于以正硅酸乙酯和硼磷硅玻璃为阻挡层对硅衬底进行刻蚀，以形成与有源区接触的接触孔；后续沉积刻蚀步骤，用于形成接触孔阻挡层并沉积金属，再对金属进行刻蚀。