[发明专利]沟槽型MOS晶体管制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于包括：

沟槽形成步骤，用于在硅片中形成沟槽；

栅极结构的形成步骤，用于在沟槽中形成栅极结构；

层间电介质的沉积及刻蚀步骤，用于沉积层间电介质层，并通过刻蚀在层间电介质层中形成两种接触孔的图案，一种是对应于与有源区接触的接触孔的图案，另一种是作为器件外围保护环的图案；在两种接触孔中离子注入B和P，在有源区形成阱区和源区，同时在保护环区形成保护环；

第一沉积步骤，用于在两种接触孔的图案中沉积正硅酸乙酯；

第二沉积步骤，用于在两种接触孔的图案中沉积硼磷硅玻璃；

硼磷硅玻璃回流步骤，用于对硼磷硅玻璃进行回流，将保护环区的接触孔密封；

硼磷硅玻璃刻蚀步骤：对硼磷硅玻璃进行刻蚀以形成与有源区接触的接触孔的隔离物，从而将与有源区接触的接触孔的初始关键尺寸缩小为最终关键尺寸；

硅片刻蚀步骤，用于以正硅酸乙酯和硼磷硅玻璃为阻挡层对硅衬底进行刻蚀，以形成与有源区接触的接触孔；

后续沉积刻蚀步骤，用于形成接触孔阻挡层并沉积金属，再对金属进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述第二沉积步骤沉积的硼磷硅玻璃厚度由与有源区接触的接触孔的初始关键尺寸以及形成保护环的接触孔的关键尺寸决定。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述第一沉积步骤沉积的正硅酸乙酯的厚度为

4.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述第二沉积步骤沉积的硼磷硅玻璃的厚度为

5.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃回流步骤的回流温度为700℃-900℃。

6.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，后续沉积刻蚀步骤沉积的金属为金属钨。