[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成具有锥形状的侧面端部的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成导电膜；使用包含卤素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻，以形成分别与所述栅电极层及所述锥形状的侧面端部的一部分重叠的源电极层及漏电极层；从所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分去除包含在所述蚀刻气体中的元素；对所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分添加氧；以及在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上形成第一保护绝缘膜。