[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成具有锥形状的侧面端部的氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上形成导电膜；

使用包含卤素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻，以形成分别与所述栅电极层及所述锥形状的侧面端部的一部分重叠的源电极层及漏电极层；

从所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分去除包含在所述蚀刻气体中的元素；

对所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分添加氧；以及

在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上形成第一保护绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过等离子体处理进行所述蚀刻步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述第一保护绝缘膜之后对所述第一保护绝缘膜添加氧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在所述第一保护绝缘膜上形成包含氧化铝的第二保护绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体膜包含铟、锌及选自镓、铝、锰、钴、锡、铪和锆中的一种或多种金属元素。

6.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成具有锥形状的侧面端部的氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上形成导电膜；

使用包含卤素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻，以形成分别与所述锥形状的侧面端部的一部分重叠的源电极层及漏电极层；

从所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分去除包含在所述蚀刻气体中的元素；

对所述锥形状的侧面端部的露出的剩余部分添加氧；以及

在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上形成第一保护绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中通过等离子体处理进行所述蚀刻步骤。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述第一保护绝缘膜之后对所述第一保护绝缘膜添加氧。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在所述第一保护绝缘膜上形成包含氧化铝的第二保护绝缘膜。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体膜包含铟、锌及选自镓、铝、锰、钴、锡、铪和锆中的一种或多种金属元素。

11.一种半导体装置，包括：

在具有绝缘表面的衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上的具有锥形状的侧面端部的氧化物半导体膜；

分别与所述栅电极层及所述锥形状的侧面端部的一部分重叠的源电极层及漏电极层；以及

在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上的第一保护绝缘膜，

其中，所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的氯浓度为5x10¹⁸atoms/cm³以下，并且

其中，所述锥形状的侧面端部的所述部分中的氯浓度小于所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的氯浓度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的铜浓度为1x10¹⁸atoms/cm³以下。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的氟浓度为5x10¹⁸atoms/cm³以下。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的硼浓度为1x10¹⁶atoms/cm³以下。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述锥形状的侧面端部的剩余部分中的氮浓度为1x10¹⁷atoms/cm³以下。