[发明专利]绝缘栅型双极晶体管

摘要

本发明提供一种短路耐受量高、栅极驱动电路的损失少的低导通电阻的绝缘栅型双极晶体管IGBT。实施方式的IGBT具备：有选择地形成于第一槽（3a）与第二槽（3b）之间的第一半导体层（2）的第一表面的、在第一槽（3a）的侧壁露出的第一基极层（7a）和在第二槽（3b）的侧壁露出的第二基极层（7b）。第一发射极层（8a）有选择地形成于第一基极层（7a）的表面，并在第一槽（3a）的侧壁露出。第二发射极层（8b）有选择地形成于第二基极层（7b）的表面，并在第二槽（3b）的侧壁露出。第一栅电极（5a）隔着第一栅极绝缘膜（4a）设置于第一槽（3a）内。第二栅电极（5b）隔着第二栅极绝缘膜（4b）设置于第二槽内。

主权项

一种绝缘栅型双极晶体管，其具备：第一导电型的第一半导体层，具有第一表面和与所述第一表面相反一侧的第二表面；第一槽，从所述第一半导体层的所述第一表面延伸到所述第一半导体层中；第二槽，从所述第一半导体层的所述第一表面延伸到所述第一半导体层中，并与所述第一槽相邻；第二导电型的第一基极层，有选择地形成于所述第一槽与所述第二槽之间的所述第一半导体层的所述第一表面，并在所述第一槽的侧壁露出；第二导电型的第二基极层，有选择地形成于所述第一槽与所述第二槽之间的所述第一半导体层的所述第一表面，并在所述第二槽的侧壁露出，隔着所述第一半导体层与所述第一基极层相邻接；第一导电型的第一发射极层，有选择地形成于所述第一基极层的表面，在所述第一槽的所述侧壁露出；第一导电型的第二发射极层，有选择地形成于所述第二基极层的表面，在所述第二槽的所述侧壁露出；第一栅电极，在所述第一槽内隔着第一栅极绝缘膜设在所述第一半导体层上、所述第一基极层上、以及所述第一发射极层上；第二栅电极，在所述第二槽内隔着第二栅极绝缘膜设在所述第一半导体层上、所述第二基极层上、以及所述第二发射极层上，并与所述第一栅电极电连接；层间绝缘膜，设在所述第一栅电极上、以及所述第二栅电极上；第二导电型的第二半导体层，设在所述第一半导体层的所述第二表面上；第一电极，与所述第二半导体层电连接；以及第二电极，与所述第一基极层、所述第二基极层、所述第一发射极层、以及所述第二发射极层电连接。