[发明专利]绝缘栅型双极晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅型双极晶体管，其具备：

第一导电型的第一半导体层，具有第一表面和与所述第一表面相反一侧的第二表面；

第一槽，从所述第一半导体层的所述第一表面延伸到所述第一半导体层中；

第二槽，从所述第一半导体层的所述第一表面延伸到所述第一半导体层中，并与所述第一槽相邻；

第二导电型的第一基极层，有选择地形成于所述第一槽与所述第二槽之间的所述第一半导体层的所述第一表面，并在所述第一槽的侧壁露出；

第二导电型的第二基极层，有选择地形成于所述第一槽与所述第二槽之间的所述第一半导体层的所述第一表面，并在所述第二槽的侧壁露出，隔着所述第一半导体层与所述第一基极层相邻接；

第一导电型的第一发射极层，有选择地形成于所述第一基极层的表面，在所述第一槽的所述侧壁露出；

第一导电型的第二发射极层，有选择地形成于所述第二基极层的表面，在所述第二槽的所述侧壁露出；

第一栅电极，在所述第一槽内隔着第一栅极绝缘膜设在所述第一半导体层上、所述第一基极层上、以及所述第一发射极层上；

第二栅电极，在所述第二槽内隔着第二栅极绝缘膜设在所述第一半导体层上、所述第二基极层上、以及所述第二发射极层上，并与所述第一栅电极电连接；

层间绝缘膜，设在所述第一栅电极上、以及所述第二栅电极上；

第二导电型的第二半导体层，设在所述第一半导体层的所述第二表面上；

第一电极，与所述第二半导体层电连接；以及

第二电极，与所述第一基极层、所述第二基极层、所述第一发射极层、以及所述第二发射极层电连接。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，

还具备第一绝缘膜，该第一绝缘膜设在所述第一基极层上以及所述第二基极层上，在由所述第一基极层与所述第二基极层夹持的所述第一半导体层的部分覆盖所述第一表面，

所述第二电极利用所述第一绝缘膜与所述第一半导体层的所述第一表面绝缘。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，所述第一槽、所述第二槽、所述第一基极层、以及所述第二基极层在所述第一半导体层的所述第一表面具有相互平行地在第一方向上延伸的条纹构造。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，

所述第一发射极层沿所述第一槽在所述第一方向上延伸，

所述第二发射极层沿所述第二槽在所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，所述第一发射极层以及所述第二发射极层分别具有沿所述第一方向延伸的单层的条纹构造。

6.根据权利要求4所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，所述第一发射极层以及所述第二发射极层分别包括沿所述第一方向分离的多个部分。

7.根据权利要求3所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，在所述第一半导体层的所述第一表面还具备多个第二导电型的第三基极层，该第二导电型的第三基极层在与所述第一方向正交的第二方向上延伸并将所述第一基极层和所述第二基极层连结起来。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，

所述第一绝缘膜在由所述多个第三基极层中的相邻的第三基极层、所述第一基极层和所述第二基极层包围的所述第一半导体层的所述第一表面上进行全部覆盖，

所述第二电极电连接于所述相邻的第三基极层上。

9.根据权利要求8所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，还具备第一导电型的第三发射极层，该第一导电型的第三发射极层有选择地形成于所述相邻的第三基极层中的至少一方的第三基极层的表面，将所述第一发射极层和所述第二发射极层连结起来。

10.根据权利要求9所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，在所述第三发射极层上以及形成有所述第三发射极层的所述一方的第三基极层上，电连接有所述第二电极。

11.根据权利要求7所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，所述第一绝缘膜在所述第二方向上与所述层间绝缘膜连接。

12.根据权利要求6所述的绝缘栅型双极晶体管，其中，所述第一绝缘膜沿所述第一方向呈条纹状延伸。