[发明专利]一种含氧化物薄膜晶体管的OLED装置有效
| 申请号： | 201210504990.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022077A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;段炼;胡永岚;张国辉;董艳波;王静 | 申请（专利权）人： | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于OLED装置领域，涉及一种控制元件由包含氧化锌锡的薄膜晶体管组成的OLED装置。本发明所述的薄膜晶体管的氧化锌锡薄膜的制备方法，包括将含有锌离子的前驱体材料、含有锡离子的前驱体材料以及助溶剂溶解于溶剂中，充分溶解，得到前驱体溶液；并将前驱体溶液在待涂布面上涂布成薄膜后进行热处理程序等步骤。本发明所述的方法制备得到的氧化锌锡薄膜可以使薄膜晶体管获得较大的载流子迁移率，含有该氧化物薄膜晶体管的OLED装置的发光性能极好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 oled 装置 | ||
【主权项】：
一种含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，包括基板（1）、依次设置在基板（1）上的TFT（11）、第一电极（8）、有机层（9）以及第二电极（10）；所述TFT（11）包括栅极（2）、栅介质层（3）、半导体层（4）、源极（5）、漏极（6）以及绝缘层（7），所述半导体层是氧化锌锡薄膜；其特征在于，所述氧化锌锡薄膜通过如下步骤制备得到的：(1)制备前驱体溶液将含有锌离子的前驱体材料、含有锡离子的前驱体材料以及助溶剂溶解于溶剂中，充分溶解，得到前驱体溶液；(2)制备氧化锌锡薄膜将步骤(1)中制备得到的前驱体溶液在待涂布面上涂布成薄膜；(3)热处理将步骤(2)中形成的所述薄膜经热处理程序处理得到所需的氧化锌锡薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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