[发明专利]一种含氧化物薄膜晶体管的OLED装置

权利要求书

1.一种含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，包括基板（1）、依次设置在基板（1）上的TFT（11）、第一电极（8）、有机层（9）以及第二电极（10）；所述TFT（11）包括栅极（2）、栅介质层（3）、半导体层（4）、源极（5）、漏极（6）以及绝缘层（7），所述半导体层是氧化锌锡薄膜；

其特征在于，所述氧化锌锡薄膜通过如下步骤制备得到的：

(1)制备前驱体溶液

将含有锌离子的前驱体材料、含有锡离子的前驱体材料以及助溶剂溶解于溶剂中，充分溶解，得到前驱体溶液；

(2)制备氧化锌锡薄膜

将步骤(1)中制备得到的前驱体溶液在待涂布面上涂布成薄膜；

(3)热处理

将步骤(2)中形成的所述薄膜经热处理程序处理得到所需的氧化锌锡薄膜。

2.根据权利要求1所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述步骤（3）中，所述热处理程序为以20-80℃/min的升温速率从室温至200℃的初始温度上升到400-500℃后，进行恒温处理。

3.根据权利要求2所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述恒温处理的时间为至少20min。

4.根据权利要求1-3任一所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述步骤（1）中，所述含有锌离子的前驱体材料选自醋酸锌、硝酸锌或氯化锌中的一种或几种的混合物；所述含有锡离子的前驱体材料为2-乙基己酸亚锡。

5.根据权利要求4所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述步骤（1）中，所述助溶剂选自乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺中的一种或几种的混合物。

6.根据权利要求5所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述步骤（1）中，所述溶剂选自乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚或丁二醇单甲醚中的一种或几种的混合物。

7.根据权利要求1-6任一所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述步骤（1）中，所述含有锌离子的前驱体材料、所述含有锡离子的前驱体材料以及所述助溶剂的摩尔比为1:1:3-7。

8.根据权利要求7所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述含有锌离子的前驱体材料和所述含有锡离子的前驱体材料的总摩尔浓度为0.3-0.5mol/L。

9.根据权利要求1-8任一所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述氧化锌锡薄膜的厚度为30nm。

10.根据权利要求9所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述TFT采用顶接触式晶体管结构或底接触式晶体管结构。

11.根据权利要求1-10任一所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述有机层包括发光层与功能层。

12.根据权利要求11所述的含氧化物薄膜晶体管的OLED装置，其特征在于：

所述功能层是空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种组合。