[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210502573.5 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022092A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 袁波;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。第一层（3）设置在第一电极（5）上，并且具有第一导电型。第二层（1）设置在第一层（3）上，并且具有与第一导电型不同的第二导电型。第三层（CLa）设置在第二层（1）上。第二电极（4）设置在第三层（CLa）上。第四层（15）设置在第二层（1）和第三层（Cla）之间，并且具有第二导电型。第三层（CLa）具有第一部分（2）和第二部分（16）。第一部分（2）具有第二导电型，并且具有比第二层（1）的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值。第二部分（16）具有第一导电型。第二部分（16）的面积相对于第一部分（2）和第二部分（16）的总面积所占的比例是20%以上95%以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：第一电极；第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；以及第三层，设置在所述第二层上，并且具有第一部分，所述第一部分具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，该半导体装置还具有：第二电极，设置在所述第三层上；以及沟槽结构，设置在所述第一部分中，并且将所述第二电极的电位作为基准被施加正的电位。
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