[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210502573.5 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022092A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 袁波;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 一种半导体装置，具有：
第一电极；
第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；
第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；以及
第三层，设置在所述第二层上，并且具有第一部分，
所述第一部分具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，
该半导体装置还具有：
第二电极，设置在所述第三层上；以及
沟槽结构，设置在所述第一部分中，并且将所述第二电极的电位作为基准被施加正的电位。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟槽结构贯通所述第一部分。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第二层和所述第三层之间，还具有：第四层，具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，并且具有比所述第一部分的杂质浓度的峰值低的杂质浓度的峰值。
4. 根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述沟槽结构贯通所述第一部分和所述第四层。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三层包含：具有所述第一导电型的第二部分。
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