[发明专利]半导体器件和场电极

摘要

本发明涉及半导体器件和场电极。一种产生半导体器件的方法包括提供半导体本体，其具有第一表面和布置在第一表面上的介电层，以及在介电层中形成至少一个第一沟槽，该至少一个第一沟槽延伸到半导体本体并且限定介电层中的电介质台面区。该方法进一步包括在电介质台面区中形成远离该至少一个第一沟槽的第二沟槽，在该至少一个第一沟槽中在半导体本体的暴露区上形成半导体层，以及在该第二沟槽中形成场电极。

主权项

一种产生半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体本体，其具有第一表面和布置在所述第一表面上的介电层；在所述介电层中形成至少一个第一沟槽，所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体本体并且限定所述介电层中的电介质台面区；在所述电介质台面区中形成远离所述至少一个第一沟槽的第二沟槽；在所述至少一个第一沟槽中在所述半导体本体的暴露区上形成半导体层；以及在所述第二沟槽中形成场电极。