[发明专利]半导体器件和场电极

权利要求书

1.一种产生半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体本体，其具有第一表面和布置在所述第一表面上的介电层；

在所述介电层中形成至少一个第一沟槽，所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体本体并且限定所述介电层中的电介质台面区；

在所述电介质台面区中形成远离所述至少一个第一沟槽的第二沟槽；

在所述至少一个第一沟槽中在所述半导体本体的暴露区上形成半导体层；以及

在所述第二沟槽中形成场电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层是单晶半导体层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述半导体层包括选择性外延生长工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽通过共同的工艺步骤形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽被形成为使得所述第二沟槽的底部布置在所述电介质台面区内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽被形成为延伸到所述半导体本体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽具有垂直侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽中的至少一个具有锥形侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述至少一个第一沟槽包括形成限定所述电介质台面区的环形第一沟槽。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述至少一个第一沟槽包括形成两个远离的第一沟槽，其中所述电介质台面区在所述两个远离的第一沟槽之间形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层完全填充所述至少一个第一沟槽。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过选择性外延生长工艺来外延生长所述半导体层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层具有第一掺杂类型的基本掺杂，所述方法进一步包括：

在所述半导体层中形成第二掺杂类型的本体区；

在所述本体区中形成所述第一掺杂类型的源极区；以及

形成与所述本体区相邻并且通过栅极电介质与所述本体区介电绝缘的栅极电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述栅极电极包括在远离所述电介质台面区的所述半导体层中的沟槽中形成所述栅极电极。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述栅极电极包括在所述半导体层上方形成所述栅极电极。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述栅极电极包括：

在远离所述场电极的所述电介质台面区中形成至少一个第三沟槽；以及

在所述至少一个第三沟槽中形成所述栅极电极。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：

形成所述至少一个第三沟槽，使得所述至少一个第三沟槽的第一侧壁邻接所述半导体层；以及

在形成所述栅极电极之前在所述至少一个第三沟槽的所述第一侧壁上形成栅极电介质。

18.一种形成MOS晶体管的方法，所述方法包括：

提供包括场电极和场电极电介质的半导体本体，所述场电极电介质使所述场电极与所述半导体本体的半导体区绝缘；

在所述场电极电介质中形成远离所述场电极的至少一个沟槽；以及

在所述至少一个沟槽中形成栅极电极。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

形成所述至少一个沟槽，使得所述至少一个沟槽的第一侧壁邻接所述半导体本体的半导体区；以及

在形成所述栅极电极之前在所述至少一个沟槽的所述第一侧壁上形成栅极电介质。

20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

在所述半导体本体中形成与所述栅极电极相邻的本体区；以及

在所述本体区中形成源极区。