[发明专利]一种调节接触电阻阻值的工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及调节接触电阻阻值的工艺。本发明利用钨回蚀工艺形成钨/铜栓，并通过调节回蚀工艺时间来控制形成的钨/铜栓中钨层和铜层的比例，以达到控制接触电阻阻值大学的目的，进而提高半导体器件的电学性能和产品的良率。

主权项

一种调节接触电阻阻值的工艺，其特征在于，包括以下步骤：于一设置有源漏栅极的半导体衬底结构的上表面沉积层间介质层；采用光刻、刻蚀工艺去除部分所述层间介质层，形成贯穿剩余层间介质层至所述半导体衬底结构表面的多个接触通孔；沉积阻挡层覆盖所述剩余层间介质层和每个所述接触通孔的底部及其侧壁；沉积钨层充满每个所述接触通孔并覆盖所述剩余层间介质层的上表面；回蚀所述钨层，去除位于所述剩余层间介质层上方和部分所述接触通孔中的钨层；沉积铜层覆盖所述阻挡层的上表面，并充满所述接触通孔；采用平坦化工艺去除多余的铜层和阻挡层，形成钨/铜栓；其中，通过控制回蚀工艺时间来控制回蚀所述接触通孔中钨层的深度。