[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210492757.8 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839983B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上的栅介质层，所述栅介质层的材料为氮氧化合物；位于所述栅介质层上的栅极；至少位于所述栅极侧壁的氧化层，所述氧化层的材料为氮氧化硅。所述半导体器件的制作方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氮氧化合物材料的栅介质层；在所述栅介质层上形成多晶硅栅；至少在所述多晶硅栅侧壁上形成氮氧化硅材料的氧化层。本发明可以避免栅介质层的介电常数发生偏移，最终提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅介质层，所述栅介质层的材料为氮氧化合物；所述栅介质层的氮原子在深度上主要分布在所述栅介质层的上表面而远离所述栅介质层和沟道的界面；位于所述栅介质层上的栅极；至少位于所述栅极侧壁的氧化层，所述氧化层的材料为氮氧化硅；所述氧化层是采用快速热处理方式向所述栅极的表面先掺入氮原子，再掺入氧原子形成的。
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