[发明专利]一种低压低功耗CMOS电压源无效

专利信息
申请号: 201210492312.X 申请日: 2012-11-27
公开(公告)号: CN102981550A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 赵喆;陈岚;吕志强 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种低压低功耗CMOS电压源,包括电流源和电压输出级,电流源提供一个与第一电阻成反比,与温度成正比的电流,该电流镜像到电压输出级,产生一个与第二电阻与第一电阻的比值成正比,与温度成正比的电压,该电压为该CMOS电压源的输出电压,由于电流源和电压输出级中的所有管子采用MOS管,可以与CMOS工艺兼容,所有MOS管工作于亚阈值区,该CMOS电压源的工作电压低。该CMOS电压源的输出电压与第二电阻和第一电阻的比值成正比,可以通过调节第一电阻和/或第二电阻的阻值来调节输出电压的大小。由于该CMOS电压源的输出电压与温度成正比,即输出电压可以感应温度的变化。因此,应用于对温度进行调控的场合。
搜索关键词: 一种 压低 功耗 cmos 电压
【主权项】:
一种低压低功耗CMOS电压源,其特征在于,包括:电流源和电压输出级;所述电流源包括电流镜、第一NMOS管、第二NMOS和第一电阻,所述电流镜、第一NMOS管和第二NMOS管中的所有MOS晶体管工作于亚阈值区;所述第二NMOS管的漏极连接所述电流镜的第一端;所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和所述电流镜的第二端;所述第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的栅极;第一NMOS管的源极接地,第二NMOS管的源极通过所述第一电阻接地;该电流源产生的电流与所述第一电阻成反比,与温度成正比;所述电压输出级包括第二组MOS晶体管和第二电阻,所述第二组MOS晶体管均工作于亚阈值区;所述电流源为电压输出级提供电流,所述第二电阻与所述电流的乘积为该CMOS电压源的输出电压。
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