[发明专利]一种低压低功耗CMOS电压源无效

申请号：	201210492312.X	申请日：	2012-11-27
公开（公告）号：	CN102981550A	公开（公告）日：	2013-03-20
发明（设计）人：	赵喆;陈岚;吕志强	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所
主分类号：	G05F3/26	分类号：	G05F3/26
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	王宝筠
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种压低功耗 cmos 电压
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【权利要求书】：

1.一种低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，包括：电流源和电压输出级；

所述电流源包括电流镜、第一NMOS管、第二NMOS和第一电阻，所述电流镜、第一NMOS管和第二NMOS管中的所有MOS晶体管工作于亚阈值区；所述第二NMOS管的漏极连接所述电流镜的第一端；所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和所述电流镜的第二端；所述第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的源极通过所述第一电阻接地；该电流源产生的电流与所述第一电阻成反比，与温度成正比；

所述电压输出级包括第二组MOS晶体管和第二电阻，所述第二组MOS晶体管均工作于亚阈值区；所述电流源为电压输出级提供电流，所述第二电阻与所述电流的乘积为该CMOS电压源的输出电压。

2.根据权利要求1所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述电流镜包括：第一PMOS管和第二PMOS管；

所述第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极并连接电源；

所述第二PMOS管的栅极和漏极连接在一起作为该电流镜的第一端，所述第一PMOS管的漏极作为该电流镜的第二端。

3.根据权利要求2所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述第二组MOS管包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，第三PMOS管的源极连接所述电源；

所述第三PMOS管的漏极通过所述第二电阻接地；

所述第三PMOS管的漏极为该CMOS电压源的电压输出端。

4.根据权利要求3所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的宽长比相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的类型相同。

6.根据权利要求5所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻均为多晶硅电阻。

7.根据权利要求2所述的低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比为1：M。