[发明专利]覆晶式发光二极管及其应用无效
申请号: | 201210489396.1 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN103779464A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 甘明吉;宋健民;蔡百扬 | 申请(专利权)人: | 铼钻科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种覆晶式发光二极管,包括:基板、半导体磊晶多层复合结构、第一与第二电极、第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构与绝缘保护层,其中,绝缘保护层为一具有不同折射率材料的堆栈结构,以及第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构于所述覆晶式发光二极管里可缓冲热应力现象,因此,所述覆晶式发光二极管可提升其整体输出光率,并避免元件光电特性变差,进而提高其可靠度与寿命。本发明亦关于上述覆晶式发光二极管的制法与应用。 | ||
搜索关键词: | 覆晶式 发光二极管 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种覆晶式发光二极管,包括:一基板,具有一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面;一半导体磊晶多层复合结构,其位于该基板的该第二表面上方且包含一第一半导体磊晶层、一第二半导体磊晶层以及一盲孔,其中,该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层为层叠设置,且该盲孔贯穿该第二半导体磊晶层;一第一电极,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层上方;一第一类金刚石/导电材料多层复合结构,填充于该半导体磊晶多层复合结构的该盲孔中,并覆盖于该第一电极上方,且电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层;一第二电极,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层上方;以及一第二类金刚石/导电材料多层复合结构,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二电极上方,并电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铼钻科技股份有限公司,未经铼钻科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210489396.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。