[发明专利]覆晶式发光二极管及其应用

权利要求书

1.一种覆晶式发光二极管，包括：

一基板，具有一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面；

一半导体磊晶多层复合结构，其位于该基板的该第二表面上方且包含一第一半导体磊晶层、一第二半导体磊晶层以及一盲孔，其中，该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层为层叠设置，且该盲孔贯穿该第二半导体磊晶层；

一第一电极，位于该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层上方；

一第一类金刚石/导电材料多层复合结构，填充于该半导体磊晶多层复合结构的该盲孔中，并覆盖于该第一电极上方，且电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层；

一第二电极，位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层上方；以及

一第二类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二电极上方，并电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层。

2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，还包括一绝缘保护层，覆盖该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层的侧壁以及该第二半导体磊晶层的侧壁，以及该盲孔的内壁表面，以隔绝及该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体磊晶层之间的接触。

3.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管，其中，该绝缘保护层由两种或以上的不同折射率材料堆栈设置。

4.如权利要求3所述的覆晶式发光二极管，其中，该不同折射率材料至少一选自由绝缘类金刚石(Isolated DLC)、氧化钛(Ti_xO_y)、二氧化硅(SiO2)、砷化镓(GaAs)、以及砷化铝(AlAs)所组成的群组。

5.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管，还包括在该绝缘保护层的外侧设置一金属保护层。

6.如权利要求5所述的覆晶式发光二极管，其中，该金属保护层至少一选自由铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、或其合金所组成的群组。

7.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第二表面为一图形化表面。

8.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一表面为一图形化表面或一粗糙化表面。

9.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，该半导体磊晶多层复合结构还包括一无掺杂半导体磊晶层，该无掺杂半导体磊晶层夹置于该第一半导体磊晶层与该基板的该第二表面之间。

10.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，该半导体磊晶多层复合结构还包括一活性中间层，该活性中间层夹置于该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层之间。

11.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构包括一第一类金刚石/金属堆栈层与一第一金属合金层，且该第一金属合金层设置于该第一类金刚石/金属堆栈层上；以及该第二类金刚石/导电材料多层复合结构包括一第二类金刚石/金属堆栈层与一第二金属合金层，且该第二金属合金层设置于该第二类金刚石/金属堆栈层上。

12.如权利要求11所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/金属堆栈层、以及该第二类金刚石/金属堆栈层为1至10层类金刚石与1至10层钛交互堆栈设置的多层结构，并且以类金刚石各自独立电性连接该第一金属合金层及该第二金属合金层。

13.如权利要求11所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/金属堆栈层、以及该第二类金刚石/金属堆栈层为2至4层类金刚石与2至4层钛交互堆栈设置的多层结构。

14.如权利要求11所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一金属合金层、以及该第二金属合金层为钛/钼/钛依序堆栈设置的三层结构，并且以钛各自独立电性连接该第一类金刚石/金属堆栈层、以及该第二类金刚石/金属堆栈层。

15.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构的表面与该第二类金刚石/导电材料多层复合结构的表面形成一共平面。