[发明专利]低深度连接沟槽及制造方法在审
| 申请号： | 201210488481.6 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103839975A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周正良;蔡莹;徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低深度连接沟槽，其采用较小的沟槽深度，并增加沟槽底部的大剂量N型注入和热过程，在沟槽填充重掺杂的N型多晶硅后，从多晶硅通过N型离子注入区形成连接N型重掺杂基板的低电阻通路。工艺完成后，较浅的沟槽可和单晶基板间有较少的失配，能降低硅片翘曲度。本发明还公开了所述低深度连接沟槽的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 深度 连接 沟槽 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低深度连接沟槽，其特征在于：所述沟槽底部位于硅衬底上的外延层中，不深入到衬底；沟槽内填充多晶硅；沟槽底部具有离子注入区连接沟槽内的多晶硅和外延下的硅衬底。
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