[发明专利]低深度连接沟槽及制造方法

权利要求书

1.一种低深度连接沟槽，其特征在于：所述沟槽底部位于硅衬底上的外延层中，不深入到衬底；沟槽内填充多晶硅；沟槽底部具有离子注入区连接沟槽内的多晶硅和外延下的硅衬底。

2.如权利要求1所述的低深度连接沟槽，其特征在于：沟槽内填充的多晶硅为高磷掺杂的多晶硅。

3.如权利要求1所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：

第1步，在硅衬底上生长外延；

第2步，在外延上淀积一层氧化硅，并进行光刻和干刻打开氧化硅沟槽区窗口，去除光刻胶；

第3步，对沟槽打开区域进行刻蚀，在外延层中刻蚀出沟槽；

第4步，进行离子注入，及快速热过程激活注入的杂质离子；

第5步，淀积多晶硅，多晶硅填充满沟槽并覆盖氧化硅层；

第6步，反刻多晶硅，将氧化硅层表面的多晶硅去除；

第7步，去除氧化硅层。

4.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第1步中，衬底为重掺杂的N型硅衬底，外延为轻掺杂的N型外延，外延厚度为1.6～2.4μm。

5.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第2步中，氧化硅层作为沟槽刻蚀的硬掩膜。

6.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第3步中，刻蚀的沟槽深度比外延层的厚度低0.2～0.6μm，是为槽壁陡直的沟槽。

7.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第4步中，离子注入杂质为磷，注入的剂量为2x10¹⁵～8x10¹⁵CM^-2。

8.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第5步中，淀积的多晶硅为高磷掺杂的多晶硅。

9.如权利要求3所述的低深度连接沟槽的制造方法，其特征在于：所述第6步中，反刻多晶硅至沟槽内的多晶硅表面与轻掺杂的N型外延表面齐平，与外延层表面的高度误差在的范围内。