[发明专利]利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法有效
| 申请号： | 201210487406.8 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103007347A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李华;刘忠堂;王珮;刘河洲;王立强 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海市第六人民医院 |
| 主分类号： | A61L27/30 | 分类号： | A61L27/30;A61L27/54;C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，首先利用阳极氧化法在预处理后的钛基板上制备TiO2纳米管覆层，然后将制得的TiO2纳米管浸到碱性溶液中，进而通过共沉淀法在TiO2纳米管覆层中负载庆大霉素。与现有技术相比，本发明建立了一种工艺简单、具有良好生物相容性的TiO2纳米管覆层的制备路径和利用TiO2纳米管进行药物负载/释放的模式，为人工关节置换术后假体相关感染的预防和治疗提供了新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 ti 表面 原位 合成 tio sub 纳米 覆层 负载 庆大霉素 方法 | ||
【主权项】：
一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，首先利用阳极氧化法在预处理后的钛基板上制备TiO2纳米管覆层，然后将制得的TiO2纳米管浸到碱性溶液中，进而通过共沉淀法在TiO2纳米管覆层中负载庆大霉素。
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