[发明专利]利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法有效
| 申请号： | 201210487406.8 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103007347A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李华;刘忠堂;王珮;刘河洲;王立强 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海市第六人民医院 |
| 主分类号： | A61L27/30 | 分类号： | A61L27/30;A61L27/54;C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 ti 表面 原位 合成 tio sub 纳米 覆层 负载 庆大霉素 方法 | ||
1.一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，首先利用阳极氧化法在预处理后的钛基板上制备TiO2纳米管覆层，然后将制得的TiO2纳米管浸到碱性溶液中，进而通过共沉淀法在TiO2纳米管覆层中负载庆大霉素。
2.根据权利要求1所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的钛基板的预处理方法为：先对Ti片进行打磨，然后依次在丙酮、乙醇溶液中进行超声清洗、干燥。
3.根据权利要求1所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的阳极氧化法是以钛基板作为阳极、Pt片作为阴极，在有机电解液中电解氧化。
4.根据权利要求3所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的有机电解液为乙二醇、H2O和NH4F的混合液，其中乙二醇的体积百分比含量为50vol％-90vol％，H2O的体积百分比含量为10vol％-50vol％，NH4F的摩尔分数含量为0.05-0.15M；所述的电解氧化的电压为20-60V，时间0.5-10h。
5.根据权利要求1所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的TiO2纳米管浸到碱性溶液中之前进行热处理，所述的热处理为在真空马弗炉中从室温升至400℃～600℃，速率为1℃-5℃/min，保温2h-4h，然后随炉降温。
6.根据权利要求5所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的碱性溶液为1-10M的NaOH溶液，TiO2纳米管浸到碱性溶液中的时间为0.5-2h。
7.根据权利要求1所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的共沉淀法为：将碱性溶液处理后的TiO2纳米管浸入庆大霉素与缓冲液组成的混合溶液中，在细胞培养器中孵育1-3天即得产品。
8.根据权利要求7所述的一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，其特征在于，所述的缓冲液为磷酸盐缓冲液，磷酸盐缓冲液的pH值为7.2-7.6，混合溶液中庆大霉素的浓度为1000mg/L。
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